FQA8N100C دیتاشیت

FQA8N100C

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت FQA8N100C
حجم فایل 1709.249 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت FQA8N100C

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: ON Semiconductor
  • Series: QFET®
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45Ohm @ 4A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220pF @ 25V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 225W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: TO-3PN
  • Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
  • Base Part Number: FQA8
  • detail: N-Channel 1000V 8A (Tc) 225W (Tc) Through Hole TO-3PN

محصولات مشابه